Les Solid State Drive

CTF - Charge Trap Flash

Globalement, il s'agit du même transistor que la grille flottante, seul les composant de celle-ci change.Ainsi on trouve du nitrure de silicium à la place du silicium polycristallin.

Ce changement permet de stocker plusieurs niveaux éléctriques, il permet aussi de d'allonger la durée de vie des cellules, et leur fiabilité.Enfin le composant chimique est moins chère.

V-NAND/CTF-3D

Au lieu d'utiliser une architecture en matrice (horizontal), on utilise une architecture vertical, les benefices de cet architecture sont un temps d'écriture plus court, une resistance plus importantes aux interferences entres celllules.Enfin cela permet de produire des mémoires plus dense et donc moins chère à produire.